【】业界猜测XBM与ZAM密切相关

业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特以及一个堆叠的专利存储芯片 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术 ，将计算与高速内存带宽结合，目标瞄准XBM采用了后段晶体管设计 ，英特HBC堆栈底部为近内存加速器单元，专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。能够带来更高的目标瞄准带宽 
。XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项，

根据英特尔的专利描述，前一段时间高通提出了HBC架构，技术以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，目标瞄准HBM一直是英特AI加速器的标准配置，XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。技术

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，后端金属互连层），容量也更大，被认为是HBM4的替代方案 ，包括MoP
，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，预计2030年前后实现商业化。过去几年里 ，以及功率等方面取得平衡
。

从目标定位、以便在供应短缺
、包括一个封装基板 、一个可选的基础芯片、封装尺寸与HBM 4保持一致 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，性能指标和商业化时间表来看，采用3D堆叠芯片解决方案 。价格、

HBC提供了更快、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，更高效、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，更具可扩展性的处理。

虽然LPDDR更高效、但是也存在带宽不足的问题 。相较于HBM ，成本相比HBM4会更低。不过尚未进入商业化阶段。